MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC (NDS9952A)
Part Number: NDS9952A
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 320pF @ 10V
- Мощность: 900mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
48 р.