MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC (FDS6900AS)

Part Number: FDS6900AS


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: PowerTrench®, SyncFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A, 8.2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 600pF @ 15V
  • Мощность: 900mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу