MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC (FDS6812A)
Part Number: FDS6812A
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: PowerTrench®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1082pF @ 10V
- Мощность: 900mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу