MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO

MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO (FDS3890)

Part Number: FDS3890

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: PowerTrench®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1180pF @ 40V
  • Мощность: 900mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

1 р.