MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC (FDS3601)
Part Number: FDS3601
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: PowerTrench®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 153pF @ 50V
- Мощность: 900mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу