MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN (FDMS3660S)
Part Number: FDMS3660S
Documents / Media: datasheets FDMS3660S
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: PowerTrench®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 13A, 30A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1765pF @ 15V
- Мощность: 1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerTDFN
- Исполнение корпуса: Power56
Цена по запросу