MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK (FDD3510H)
Part Number: FDD3510H
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: PowerTrench®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel, Common Drain
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 800pF @ 40V
- Мощность: 1.3W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Исполнение корпуса: TO-252-4L
Цена по запросу