MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 (FDC6301N_G)
Part Number: FDC6301N_G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 220mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V
- Мощность: 700mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Исполнение корпуса: SuperSOT™-6
Цена по запросу