MOSFET 2N-CH EFCP (EFC6601R-TR)
Part Number: EFC6601R-TR
Documents / Media: datasheets EFC6601R-TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): -
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-XFBGA, FCBGA
- Исполнение корпуса: EFCP2718-6CE-020
Цена по запросу