MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 (PMV117EN,215)
Part Number: PMV117EN,215
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 147pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 830mW (Tc)
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу