MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP (PMGD8000LN,115)
Part Number: PMGD8000LN,115
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 125mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 18.5pF @ 5V
- Мощность: 200mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Исполнение корпуса: 6-TSSOP
Цена по запросу