MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK (PSMN1R5-30BLEJ)
Part Number: PSMN1R5-30BLEJ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.15V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 228nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 14934pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 401W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу