SMALL SIGNAL MOSFET (PMV32UP/MIR)
Part Number: PMV32UP/MIR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 2.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236AB
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу