MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 (PMV213SN,215)
Part Number: PMV213SN,215
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 330pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 280mW (Tj)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 р.