MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 (PMPB95ENEAX)
Part Number: PMPB95ENEAX
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14.9nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 504pF @ 40V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DFN2020MD-6
- Корпус: 6-UDFN Exposed Pad
16 р.