MOSFET N-CH 20V SOT1220 (PMPB10XNEZ)

Part Number: PMPB10XNEZ


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2175pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DFN2020MD-6
  • Корпус: 6-UDFN Exposed Pad

Цена по запросу