MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC (PMK35EP,518)
Part Number: PMK35EP,518
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9.2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V
- Vgs (Max): ±25V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 6.9W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу