MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 (PHT6NQ10T,135)
Part Number: PHT6NQ10T,135
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 633pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-223
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
1 р.