MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC (PHK18NQ03LT,518)
Part Number: PHK18NQ03LT,518
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.15V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 12V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 6.25W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу