MOSFET N-CH 25V 75A DPAK (PHD97NQ03LT,118)

Part Number: PHD97NQ03LT,118


Documents / Media: datasheets PHD97NQ03LT,118


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.15V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 12V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 107W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DPAK
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу