MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B (NX7002BKMBYL)
Part Number: NX7002BKMBYL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 23.6pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 3-DFN1006B (0.6x1)
- Корпус: 3-XFDFN
1 р.