MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB (NX2301P,215)
Part Number: NX2301P,215
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 380pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 р.