MOSFET N-CH 60V LFPAK (BUK9Y8R7-60E,115)
Part Number: BUK9Y8R7-60E,115
Documents / Media: datasheets BUK9Y8R7-60E,115
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4570pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 147W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Корпус: SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
44 р.