MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK (BUK9Y19-55B/C2,115)
Part Number: BUK9Y19-55B/C2,115
Documents / Media: datasheets BUK9Y19-55B/C2,115
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 46A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V
- Vgs (Max): -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1992pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): -
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Корпус: SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Цена по запросу