MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK (BUK962R5-60E,118)
Part Number: BUK962R5-60E,118
Documents / Media: datasheets BUK962R5-60E,118
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 120nC @ 5V
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 17450pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 357W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу