MOSFET N-CH 55V SOT-23 (BSH111BKR)
Part Number: BSH111BKR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 55V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 30pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 302mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 р.