MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP (PMGD780SN,115)
Part Number: PMGD780SN,115
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 490mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 23pF @ 30V
- Мощность: 410mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Исполнение корпуса: 6-TSSOP
1 р.