MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN (PMDXB600UNEZ)
Part Number: PMDXB600UNEZ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 600mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 21.3pF @ 10V
- Мощность: 265mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-XFDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: 6-DFN (1.1x1)
1 р.