MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN (PMDXB550UNEZ)
Part Number: PMDXB550UNEZ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 590mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 30.3pF @ 15V
- Мощность: 285mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-XFDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: DFN1010B-6
Цена по запросу