MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 (PMDT670UPE,115)
Part Number: PMDT670UPE,115
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 550mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 400mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 87pF @ 10V
- Мощность: 330mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-563, SOT-666
- Исполнение корпуса: SOT-666
10 р.