MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON (PMDPB30XN,115)
Part Number: PMDPB30XN,115
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 660pF @ 10V
- Мощность: 490mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-UDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: DFN2020-6
1 р.