MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN (PMCXB900UEZ)

Part Number: PMCXB900UEZ

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel Complementary
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 21.3pF @ 10V
  • Мощность: 265mW
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-XFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 6-DFN (1.1x1)

1 р.