MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 (PHN203,518)

Part Number: PHN203,518


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 560pF @ 20V
  • Мощность: 2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу