MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC (PHKD3NQ10T,518)
Part Number: PHKD3NQ10T,518
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchMOS™
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 633pF @ 20V
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
59 р.