POWER MOSFET - SIC (APT80SM120S)
Part Number: APT80SM120S
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 1200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 235nC @ 20V
- Vgs (Max): +25V, -10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 625W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D3Pak
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу