MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP (APT58MJ50J)
Part Number: APT58MJ50J
Documents / Media: datasheets APT58MJ50J
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: POWER MOS 8™
- Состояние детали: Preliminary
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 13500pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 540W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Исполнение корпуса: ISOTOP®
- Корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Цена по запросу