MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 (APT20M19JVR)
Part Number: APT20M19JVR
Documents / Media: datasheets APT20M19JVR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: POWER MOS V®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 495nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11640pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Исполнение корпуса: ISOTOP®
- Корпус: SOT-227-4, miniBLOC
Цена по запросу