![MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK](/site/images/not_found.jpg?933578899)
MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK (APT18F60S)
Part Number: APT18F60S
Documents / Media: datasheets APT18F60S
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: POWER MOS 8™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3550pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 335W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D3Pak
- Корпус: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Цена по запросу