![MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX](/site/images/not_found.jpg?291870550)
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX (APT10M09B2VFRG)
Part Number: APT10M09B2VFRG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: POWER MOS V®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9875pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 625W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: T-MAX™ [B2]
- Корпус: TO-247-3 Variant
Цена по запросу