![MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1](/site/images/not_found.jpg?806001225)
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 (APTM60A11FT1G)
Part Number: APTM60A11FT1G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 40A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10552pF @ 25V
- Мощность: 390W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SP1
- Исполнение корпуса: SP1
Цена по запросу