MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 (APTC80H15T1G)
Part Number: APTC80H15T1G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (H-Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 28A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 2mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4507pF @ 25V
- Мощность: 277W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: SP1
- Исполнение корпуса: SP1
Цена по запросу