MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 (2N7000-G)
Part Number: 2N7000-G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-92-3
- Корпус: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
24 р.