MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN (DN2625DK6-G)
Part Number: DN2625DK6-G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tray
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Depletion Mode
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 250V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 25V
- Мощность: -
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-VDFN Exposed Pad
- Исполнение корпуса: 8-DFN (5x5)
Цена по запросу