IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP (DS1230Y-120+)
Part Number: DS1230Y-120+
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тип памяти: NVSRAM
- Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Объем памяти: 256Kb (32K x 8)
- Скорость: -
- Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
- Время доступа: 120ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
- Исполнение корпуса: 28-EDIP
26 р.