IGBT 1200V 200A 625W PKG S

IGBT 1200V 200A 625W PKG S (MG12150S-BN2MM)

Part Number: MG12150S-BN2MM

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: Trench Field Stop
  • Конфигурация: Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 200A
  • Мощность: 625W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 150A (Typ)
  • Обратный ток коллектора (Max): 1mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: S-3 Module
  • Исполнение корпуса: S3

Цена по запросу