PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD (APT2012P3BT)
Part Number: APT2012P3BT
Documents / Media: datasheets APT2012P3BT
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 30V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 1mA
- Current - Dark (Id) (Max): 100nA
- Длина волны: -
- Угол обзора: -
- Мощность: 100mW
- Вид монтажа: Surface Mount
- Направление: Top View
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Корпус: 0805 (2012 Metric)
Цена по запросу