2.0X1.2MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE (AP2012P3C-P22)
Part Number: AP2012P3C-P22
Documents / Media: datasheets AP2012P3C-P22
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 30V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): -
- Current - Dark (Id) (Max): 100nA
- Длина волны: 940nm
- Угол обзора: 160°
- Мощность: 100mW
- Вид монтажа: Surface Mount
- Направление: Top View
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Корпус: 0805 (2012 Metric)
Цена по запросу