IGBT (IXYQ40N65C3D1)
Part Number: IXYQ40N65C3D1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: XPT™, GenX3™
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 80A
- Коллекторный ток (Icm): 180A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
- Мощность: 300W
- Switching Energy: 830µJ (on), 650µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 66nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 23ns/110ns
- Условие испытаний: 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 40ns
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-3P-3, SC-65-3
- Исполнение корпуса: TO-3P
Цена по запросу