IGBT 650V 18A 50W TO220 (IXYP20N65C3D1M)
Part Number: IXYP20N65C3D1M
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: GenX3™, XPT™
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: PT
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 18A
- Коллекторный ток (Icm): 105A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
- Мощность: 50W
- Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 30nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 19ns/80ns
- Условие испытаний: 400V, 20A, 20 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 30ns
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220-3
- Исполнение корпуса: TO-220AB
Цена по запросу