IGBT MODULE 1200V 183A HEX (MIEB100W1200TEH)
Part Number: MIEB100W1200TEH
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 183A
- Мощность: 630W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
- Обратный ток коллектора (Max): 300µA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: Yes
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: E3
- Исполнение корпуса: E3
Цена по запросу